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三星电子全球范围半导体生产线竣工投产

来源: 作者: 2019-05-15 00:27:56

9月22日,三星电子16号半导体生产线竣工投产,该生产线为全球规模半导体生产线,主要产品为20纳米级NAND闪存,从三星方面了解到,三星电子本月还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产,成为全球早量产20纳米级存储器产品的企业。

据悉,三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设,经过短短的15个月即投入运行,总面积约为20万平方米,建筑达12层,也是全球范围,的半导体生产线。

三星电子方面表示,三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(Clean Room)、6月开始产品测试、8月完备量产系统,计划从本月起,每个月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。有业内人士称,以此为契机,三星电子在巩固其内存企业地位的同时,也为全球IT市场注入了新的活力,为以后的发展打下了良好的基础。到今年末为止,三星将按照NAND闪存的需求,逐渐增加12英寸晶圆的生产规模,明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。

此外,本月将实现量产的三星20纳米级DDR3内存具有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存的同等性能,同时提高了约50%生产效率,勤俭了40%以上的耗电量,是名副其实的绿色内存。

三星计划今年内研发20纳米级4Gb DDR3内存,明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。三星将从企业服务器市场到笔记本市场等各种IT市场上不断扩大绿色内存的比重。

三星团体李健熙会长、索尼团体中川裕副会长等500余名IT界人士出席了22日的16号生产线竣工仪式暨20纳米级DRAM量产仪式。

三星李健熙会长表示:这次16号生产线的竣工投产让我们具有了全球的工程生产线,也让我们更加稳定地向顾客供应更多的产品,加强了三星独有的竞争力。

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